The IRFB3306PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Технічні параметри
Структура    n-канал
Максимальна напруга стік-висток Uсі, В    60
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C Iсі макс. А    160
Максимальна напруга затвор-висток Uзи макс., В    ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсі вмик. (Max) при Id, Rds (on)    0.0042 ом за 75a, 10 В
Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт    230
Крутизна характеристики, S    23
Корпус    to220ab
Вага, г    2.5