Рідкокристалічний дисплей 128х64 із зеленим підсвічуванням.

Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
 
Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
 
Поставляется без корпуса (КІТ).
 
Питание 9V от  батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).
 
Розряджайте конденсатори до тестування!
    
Технічні характеристики тестера напівпровідників і вимірювача RLC, ESR.
 
Вимірювач індуктивності
 
1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей проводиться за одну операцію – натисненням кнопки. Автоматичне вимкнення після тесту.
 
2. Споживаний струм після відключення не більше 20nA .
 
3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 Ом до 50M Ом з точністю 1%.
 
4. Діапазон вимірювання ємності складає від 25рF до 100mF і точністю 1%.
 
5. Діапазон вимірювання индутивности становить від 0,01 мН до 20H і точністю 1%.
 
Тестер транзисторів
   
6. Автоматичне визначення NPN, PNP біполярних транзисторів , N -канальних і Р - канальних MOS-FET, JFET транзисторів , діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двонаправлених тиристорів.
 
7. Автоматичне визначення цокольовка напівпровідників.
 
8. Вимірювання в біполярних транзисторах коефіцієнта посилення і порогового напруги база – емітер.
 
9. Виявлення захисних діодів в біполярних і MOS-FET транзисторах.
 
Мультитестер напівпровідників
   
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтона.
 
11. Вимірювання порогового напруги і ємності затвора в MOS-FET транзисторах.
 
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
 
ESR вимірювач
   
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів) з відображення на дисплеї символів резистора.
 
14. Відображення символів подвійних діодів з вимірюванням прямого напруга кожного переходу.
 
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
 
16. Визначення напруги пробою в стабилитронах з напругою не більше 4.5 V.