N-Channel Power MOSFET over 100A, International Rectifier 
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. 

MOSFET Transistors, International Rectifier 
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 202
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 76
Корпус: to220ab
Особенности: автоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 2…4