The FQP30N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating

Напівпровідники — Дискретні/Транзистори/МОН-транзистори

Максимальна Робоча температура: 175°C
Кількість виводів: 3 виведення (-ов)
Розсіювана Потужність: 79Вт
Полярність Транзизора: N Канал
Напруга Істока-стока Vds: 60В
Безперервний струм Стока: 30А
Опір у ввімкненому Зстоянні Rds (on): 0.031Ом
Напруга вимірювання Rds (on): 10В
Порогове напруга Vgs: 4В