The FQP30N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Максимальная Рабочая Температура: 175°C
Количество Выводов: 3 вывод(-ов)
Рассеиваемая Мощность: 79Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 60В
Непрерывный Ток Стока: 30А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.031Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 4В