Конфігурація    half-bridge
Тип каналу    незалежний
Кількість каналів    2
Тип керованого закрива    IGBT, N-CH MOSFET
Напруга живлення, В    3.3…20
Логічна напруга (VIL), В    6
Логічна напруга (VIH), В    9.5
Піковий вихідний струм наростання (Source), А    2
Піковий вихідний струм спада (Sink), А    2
Тип входу    неінвертувальний
Максимальна напруга зміщення, В    600
Номінальний час наростання (Rise Time), нс    25
Номінальний час згасання (Fall Time), нс    17
Робоча температура, °C    -40...+150 (TJ)
Корпус    soic-16 (0.295 inch)
Вага, г    1