The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirements

Структура    p-канал
Максимальна напруга стік-висток Uсі, В    -200
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C Iсі макс. А    -6.5
Максимальна напруга затвор-висток Uзи макс., В    ±20
Опір каналу у відкритому стані Rсі вмик. (Max) при Id, Rds (on)    0.8-го в разі -3.9a, -10в
Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт    75
Крутизна характеристики, S    2.2
Корпус    to220ab
Порогова напруга на затворі    -4
Вага, г    2.5