Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
Характеристики:
- Моделі: HYG200P10LR1B, G200P10
- Тип: MOSFET-транзистор
- Канал: P-канал
- Максимальна напруга: 100 В
- Максимальний струм: 80 А
- Корпус: TO-263
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Користувальницькі характеристики | |
| Країна реєстрації | Китай |
| Тип | Корпус |
- Ціна: 26,98 ₴